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50
V GS = 4.5V
NEW DESIGN
30
DMN3005LK3
40
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
V GS = 2.8V
25
20
V DS = 5.0V
30
20
V GS = 2.5V
15
T A = 150°C
T A = 125°C
10
T A = 85°C
T A = 25°C
10
V GS = 1.8V
5
T A = -55°C
0
0
V GS = 2.0V
1 2 3 4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig.1 Typical Output Characteristics
5
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
4
0.040
0.036
0.012
0.032
0.028
0.024
0.020
0.016
0.012
0.008
0.004
V GS = 2.5V
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
V GS = 4.5V
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
V GS = 4.5V
5 10 15 20 25
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
30
0
0
5 10 15 20 25 30
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
0.010
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
1.0
0.8
0.6
I D = 1mA
0.004
0.003
0.002
0.001
V GS = 4.5A
I D = 20A
0.4
0.2
I D = 250μA
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMN3005LK3
Document number: DS33318 Rev. 4 - 3
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www.diodes.com
May 2013
? Diodes Incorporated
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DMN3010LSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
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DMN3018SSD-13 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3018SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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